还是很行的！Intel 18A工艺重要进展：良率已超越三星2nm

Intel的18A工艺取得了重要进展，其良率已经超越了三星的2nm工艺，这一成就标志着Intel在半导体制造领域的实力和技术水平不断提高，有望在未来的市场竞争中占得先机，这一进展对于整个半导体行业来说也是一大喜讯，有望推动行业的进一步发展和创新。

7月14日消息，据报道，KeyBanc Capital Markets的分析报告显示，Intel 18A工艺的良率已从上一季度的50%提升至55%，与竞争对手的对比中脱颖而出。

相比之下，三星的2nm工艺（SF2）目前的良率大约在40%左右，而Intel 18A工艺的良率已经超越了三星2nm。

虽然仍低于台积电N2的65%，但已具备Q4 2025量产（HVM）条件，届时其良率有望进一步提升至70%，这将为Intel下一代移动CPU的生产提供有力支持。

虽然Intel的良率预计不会超越台积电，但拥有一个功能强大的制程就足够该公司所用了。

Intel 18A工艺的进步不仅有助于其内部产品的开发，如即将推出的Panther Lake系列，还为未来向外部客户提供服务奠定了基础。

Intel计划在18A工艺取得成功后，逐步向14A工艺过渡，以进一步提升其在高端芯片市场的竞争力。